详细信息
产品概述:
微纳级半导体光电特性检测仪是自主研制的用于阵列化、高速、高灵敏度半导体晶圆研发/生产/测试过程的光电特性参数检测的自动化测试与数据处理设备。产品由精密四轴移动台体、探针、卡盘、IV/CV/脉冲/噪声测量装置、温度控制与低温除湿装置、光信号激励源、CCD显微镜、密封屏蔽箱、控制计算机和数据分析软件组成。
产品具有大行程（满足4～12英寸半导体晶圆测试）、高定位精度（±0.5µm）、宽温区测试环境（-60～300℃）、高温控精度（±0.1℃）、高可靠性（连续工作时间＞168h）、可定制特点。
应用领域:
半导体/微电子、微机电、IC设计/制造/测试/封装、光电、生物科学、航空航天等
主要技术指标:
|
序号 |
参数 |
指标 |
|
|
1 |
X、Y轴行程 |
mm |
150×150/200×200/300×300 |
|
2 |
Z轴行程 |
mm |
10 |
|
3 |
X/Y/Z轴定位精度 |
μm |
0.5/1/3 |
|
4 |
X/Y/Z轴重复定位精度 |
μm |
0.25/1/3 |
|
5 |
R轴行程 |
° |
±10 |
|
6 |
R轴定位精度 |
′ |
0.1 |
|
7 |
卡盘平面度 |
′ |
0.05 |
|
8 |
高低温环境 |
℃ |
-60～300/常温～300 |
|
9 |
温度控制精度 |
℃ |
±0.1/±1 |
|
10 |
温度均匀性 |
℃ |
±2 |
|
11 |
漏电流 |
fA |
100 |
|
12 |
电流测量范围 |
/ |
1pA～1A /100pA～1A |
|
13 |
电流最优精度 |
/ |
1.000% + 10fA/0.15% + 120fA |
|
14 |
电压测量范围 |
/ |
200mV～200V |
|
15 |
电压最优精度 |
/ |
0.012% + 100μV/0.015% + 225μV |
|
16 |
电容测量范围 |
/ |
1pF～1uF |
|
17 |
电容最优精度 |
|
0.12% ±100nF |
|
18 |
连续工作时间 |
h |
＞168h |
关键词:
微纳级半导体光电特性检测仪
上一页